型号 | SPD30P06P |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK |
SPD30P06P PDF | |
代理商 | SPD30P06P |
产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
标准包装 | 2,500 |
系列 | SIPMOS® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 30A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 21.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1.7mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1535pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | P-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SP000012842 SP000077529 SPD30P06PINTR SPD30P06PT SPD30P06PXTINTR SPD30P06PXTINTR-ND |